




随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更等级,工艺流程的延长且越趋复杂,产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是制程对杂质的敏感度更高,小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤,晶圆清洗变得复杂、重要及富有挑战性。
在湿法清洗工艺路线下,目前主流的清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、组合式清洗设备和批式旋转喷淋清洗设备等,其中单片清洗设备市场份额占比高。湿法清洗工艺路线下主流的清洗设备存在程度的区分,主要体现在可清洗颗粒大小、金属污染、腐蚀均一性以及干燥技术等标准。目前至纯科技主要生产湿法清洗设备,提供槽式设备(槽数量按需配置)及单片机设备(8-12 反应腔),均可以覆盖 8-12 寸晶圆制造的湿法工艺设备。
一种半导体氧化设备,河南太阳能光伏硅片清洗设备,其配有:由室壁界定的可密封氧化室;设置于氧化室内,并用来支撑半导体样品的基座;用于向所述氧化室供应对所述
半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分;监测窗,太阳能光伏硅片清洗设备企业,其设置于所述氧化室的室壁之一内,并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处;监测部分,其设置于所述氧化室之外,并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品;以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
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