




半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室),将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座, 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备,半导体氧化设备,有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。

网板清洗机有三项清洗工艺,分别是清洗溶液的清洗、超声波的漂洗、风切的除水项溶剂清洗的工艺是应用事前在钢网清洗机内部装配好的夹板夹住钢网,并自动化控制,半导体氧化设备供应商,使网板往复慢拉,---每一个位置都能被喷淋---,清洗溶剂在超声波的作用下产生上万的空化气泡。
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干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层,虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点,但可清洗污染物比较单一,目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主,少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短,在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势,目前湿法清洗是主流的清洗技术路线,占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。
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